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上海电网35千伏公里级超导电缆完成大负荷试验

2025-07-07 06:05:41

上海试验d)基于新型dibrominatedthieno[3,2-b]thiopheneisoindigo单体单元的分子结构;顶栅极底接触OFET的转移特性曲线。

电网导电图五:应变增强的界面电荷转移的机制(a-b)UPS所示的MoS2和ZnO的费米能级(EF)和价带最大值(EVBM)之间的功函数(a)和能量差(b)。千伏文献链接:Strain-EngineeredvanderWaalsInterfacesofMixed-DimensionalHeterostructureArrays(ACSNano,2019,DOI:10.1021/acsnano.9b03239)团队在该领域的其他工作主要包括:1.混合维度异质结构光电与电子器件Zhang,Z.,Lin,P.,Liao,Q.,Kang,Z.,Si,H.,Zhang,Y.Graphene‐BasedMixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructuresforAdvancedOptoelectronics.AdvancedMaterials,2019,1806411.Du,J.,Liao,Q.,Hong,M.,Liu,B.,Zhang,X.,Yu,H.,...Zhang,Z.Piezotroniceffectoninterfacialchargemodulationinmixed-dimensionalVanderWaalsheterostructureforultrasensitiveflexiblephotodetectors.NanoEnergy,2019,58,85-93.Wu,H.,Kang,Z.,Zhang,Z.,Zhang,Z.,Si,H.,Liao,Q.,...Zhang,Y.InterfacialChargeBehaviorModulationinPerovskiteQuantumDot‐MonolayerMoS20D‐2DMixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructures.AdvancedFunctionalMaterials,2018,28,1802015.Liu,S.,Liao,Q.,Lu,S.,Zhang,Z.,Zhang,G.,Zhang,Y.Strainmodulationingraphene/ZnOnanorodfilmschottkyjunctionforenhancedphotosensingperformance.AdvancedFunctionalMaterials,2016,26,1347-1353.Wu,H.,Si,H.,Zhang,Z.,Kang,Z.,Wu,P.,Zhou,L.,...Zhang,Y.All‐InorganicPerovskiteQuantumDot‐MonolayerMoS2Mixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructureforUltrasensitivePhotodetector.AdvancedScience,2018,5,1801219.2.二维材料电子结构的缺陷调控及其光电与电子器件Zhang,X.,Liao,Q.,Liu,S.,Kang,Z.,Zhang,Z.,Du,J.,...Zhang,Y.Poly(4-styrenesulfonate)-inducedsulfurvacancyself-healingstrategyformonolayerMoS2homojunctionphotodiode.Naturecommunications,2017,8,15881.Zhang,X.,Liao,Q.,Kang,Z.,Liu,B.,Ou,Y.,Du,J.,...Zhang,Y.Self-HealingOriginatedvanderWaalsHomojunctionswithStrongInterlayerCouplingforHigh-PerformancePhotodiodes.ACSnano,2019,13,3280-3291.Yu,Y.,Zhang,X.,Zhou,Z.,Zhang,Z.,Bao,Y.,Xu,H.,...Wang,X.Microscopicpump-probeopticaltechniquetocharacterizethedefectofmonolayertransitionmetaldichalcogenides.PhotonicsResearch,2019,7,711-721.本文由大兵哥供稿。

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公里【图文导读】图一:具有周期性应变调控的1L-MoS2/ZnO异质结阵列的制备和基础表征(a)1L-MoS2/ZnO异质结阵列的示意图。缆完(e)在532nm激光激发下1L-MoS2/ZnO异质结阵列的拉曼光谱。负荷(c-d)单个ZnO纳米棒上1L-MoS2的拉曼扫描光谱图绘制(c)E12g峰值频移和(d)A1g峰值频移。

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上海试验(c)区域A(未应变的1L-MoS2)和B(应变的1L-MoS2)中的1L-MoS2的PL光谱。此外,电网导电二维材料优异的力学性能和半导体性能,电网导电使其电子结构在应变作用下可以实现高效调制,这为通过应变工程实现电荷高效界面输运提供了可能性。

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千伏利用一维半导体诱导纳米压印可以得到周期性梯度双轴应变。

公里(e)在ZnO纳米棒基底上的1L-MoS2的PL积分强度扫描图(积分范围1.75-1.85eV)。我当时心里特别感动,缆完觉得自己做的一切都是值得的。

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